サポート
1907年H. J. Roun がSiC塊に2枚の電極を付け電圧をかけることで黄色く発光することが確認され、これが世界最初のLEDによる発光である。
1936年DestrianがZnSによるLEDを開発した。
1950年代GaAsの結晶成長技術が開発されて物理的・機械的性質の理解が進み、1962年のCVD（Chemical vapor deposition、科学気相成長法）やLPE（Liqid phase epitaxy、液相成長法）による薄膜技術の登場によって、RCA、GE、MITから赤外線LEDの開発が報告された。
1960年代GaAs基板上に形成したGaAsP（GaAsとGaPの混晶）の3元系化合物半導体によって赤色LEDが開発された。
GaAsPのPの組成比を増やしたことでオレンジ色LEDが開発された。
1970年代Pの組成比を極限にしたGaPによって緑色LEDが得られ、赤から緑までの発光の後は残る青色LEDの開発が待たれた。
1994年GaNによる青色LEDが開発された。
